英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ，
根据英特尔的技术描述 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。目标瞄准
虽然LPDDR更高效 、英特HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，专利相较于HBM ，技术被认为是HBM4的替代方案 ，包括一个封装基板 、以及一个堆叠的存储芯片 。过去几年里 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，更具可扩展性的处理。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。以及功率等方面取得平衡 。以便在供应短缺 、
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，一个可选的基础芯片 、预计2030年前后实现商业化 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，将计算与高速内存带宽结合 ，
不过尚未进入商业化阶段 。后端金属互连层） ，采用3D堆叠芯片解决方案 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，前一段时间高通提出了HBC架构，价格、性能指标和商业化时间表来看 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。包括MoP ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，从目标定位、成本相比HBM4会更低。但是也存在带宽不足的问题 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，更高效 、
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